主營:擴(kuò)散爐系列,真空爐系列,鏈?zhǔn)剿淼罓t系列,氫氣爐系列,砷化鎵單晶爐系列,LED專用設(shè)備,太陽能光伏擴(kuò)散爐,磁性材料專用設(shè)備
用途:用于半導(dǎo)體器件工藝中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制備
特點(diǎn):一次設(shè)定自動(dòng)完成,可另配氣柜。真空系統(tǒng)可選配進(jìn)口機(jī)組
主要技術(shù)指標(biāo):制備3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜;溫度:400~900℃;
恒溫區(qū)600mm±0.5℃;真空系統(tǒng)機(jī)械泵+羅茨泵,配有抽氣冷井;
控溫器采用進(jìn)口5吋觸摸屏;通入氣體SIH4/NH3/N2;
進(jìn)口質(zhì)量流量計(jì)控制;閥門用進(jìn)口氣動(dòng)閥和減壓閥;動(dòng)作順序?yàn)镻LC編程控制;
薄膜壓力控制器加閥閉環(huán)控制壓強(qiáng)
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