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修改自定義屬性值：

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產(chǎn)品描述

氮化溫度高于1400℃時發(fā)生α/β相變，隨著氮化溫度的提高和時間的延長，β相的相對含量增加，氮化硅的微觀形貌也發(fā)生明顯變化，由針狀和絮狀形貌轉(zhuǎn)變成片狀形貌較后形成長柱狀結(jié)構(gòu) α/β 相變使樣品的相對介電常數(shù)ε′和介電損耗 tan δ都呈現(xiàn)升高的趨勢，其中tanδ的變化更為明顯相變導致的氮化硅陶瓷中點缺陷濃度增高是引起材料介電損耗大幅增加的主要原因。以硅粉和氮化硅晶須為原料, 通過添加30% (質(zhì)量分數(shù)) 成孔劑球形顆粒，以聚乙烯醇作粘結(jié)劑，采用干壓成型工藝，反應(yīng)燒結(jié)制備了多孔氮化硅陶瓷，分析對比了氮化硅晶須對反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷介電性能的影實驗結(jié)果表明，隨著氮化硅晶須加入量的升高，氮化硅多孔陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗都升高，介電性能惡化。氮化硅晶須的加入對試樣的氣孔率沒有基本上沒有影響, 試樣的氣孔率都大約在60% 晶須在試樣內(nèi)呈無序分布, 在其表面上有氮化硅絮狀物生成這些反應(yīng)生成的絮狀物與晶須的結(jié)合界面不緊密, 容易存在微觀缺陷隨著晶須含量的增加, 試樣的介電常數(shù)與介電損耗都上升, 且有損耗峰的出現(xiàn), 試樣的介電性能化。

由于結(jié)構(gòu)陶瓷材料脆性較大，準確加工時極易產(chǎn)生磨削裂紋，這一點是航空，航天零件禁忌的，如應(yīng)用于航宅發(fā)動機、航天火箭等高等產(chǎn)品中的結(jié)構(gòu)陶瓷近年來世界各國都競相開發(fā)結(jié)構(gòu)陶瓷材料表面無損傷的**加工新方法實現(xiàn)結(jié)構(gòu)陶瓷無損傷加工較有效的技術(shù)是延性域磨削。

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部分產(chǎn)品常年備有大量庫存，保證貨源