微弧氧化設備，

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北京微弧氧化設備，江西微弧氧化設備，香港微弧氧化設備

類別：氧化設備

北京微弧氧化設備，江西微弧氧化設備，香港微弧氧化設備特點：

 

KGF系列可控硅整流器采用國際標準可控硅控制系統(tǒng)及進口半導體組件制造，工作可靠、功能完善。設備工作原理如下框圖所示。

 

B．主要技術指標和執(zhí)行指標

1．使用環(huán)境

a．環(huán)境溫度          ≤40℃

b．相對濕度          ≤90%

c．海拔高度          ≤1000米

d．無腐蝕性氣體或其它易燃、易爆氣體

2．設備性能

a．輸入電源電壓      三相320V～430V  AC 50HZ

b．輸出穩(wěn)定方式      穩(wěn)壓/穩(wěn)流

c．穩(wěn)定精度          ±1%

d．過載保護方式      在額定輸出電流時限流

e．保護裝置          輸入缺相保護、錯相序保護、過熱保護、負載短路保護

f．冷卻方式          強迫風冷

g．工作制            可滿載不間斷工作

h．絕緣等級          B級

i．防護等級          IP21

C、規(guī)格型號及含義

以下舉例說明：

                  K G F A—2 0 0 0 A/ 20 V – 1 T

 

風冷可控硅                                        定時器級數 1級 2級 3級

   類型編號                                          額定輸出電壓

   A三相原邊調控六相整流                            6V  9V  12V  16V  24V

   B三相付邊調控六相整流                            額定輸出電流

       C三相原邊調控橋式整流                            50A 100A 200A 300A 500A

       D單相原邊調控全波整流                            1000A 1500A 2000A 3000A

       E單相付邊調控全波整流                           4000A 5000A 6000A 8000A…

 

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