規(guī)格:(Φ5.0-150.0)×(0.2-6.0)mm符合國(guó)標(biāo)GB/T14592-93
參數(shù):比重:10.2g/cm³電阻率:不大于6.26×10-6Ω.cm
熱膨脹系數(shù):4.0×10-6μm/(m.k)-6.4×10-6μm/(m.k)(在373.15k-973.15k)
用途:適用于電力半導(dǎo)體器件及電真空器件。用作可控硅元件中單晶硅片的支撐基板!
特點(diǎn):鉬圓片表面光亮,粗糙度可達(dá)Ra1.60,熱導(dǎo)電性能好,熱膨脹系數(shù)小,且耐高溫,抗壓強(qiáng)度優(yōu)于現(xiàn)行同類產(chǎn)品
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