二硒化鉬
半導體異質(zhì)結(jié)是由不同半導體材料接觸形成的結(jié)構(gòu)。由于構(gòu)成異質(zhì)結(jié)的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數(shù)、吸收系數(shù)等物理參數(shù),異質(zhì)結(jié)將表現(xiàn)出許多不同于單一半導體材料的性質(zhì)。
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二硒化鉬(MoSe2)
1,純度:4N(99.99%)
2,物理性質(zhì):
英文名稱:Molybdenum Selenide,
CAS號為12058-18-3,
分子式為MoSe2,
分子量為253.86,
級別:工業(yè)級二硒化鉬多少價格;大宗原料二硒化鉬大貨成批出售小貨零售,二硒化鉬產(chǎn)量規(guī)格質(zhì)量
灰色粉末,具有層狀結(jié)構(gòu),具有半導體性質(zhì).
3,技術(shù)對接:高溫高壓真空熔煉,處理后進行熱擴散;
4,檢驗:ICP-MS(所有雜質(zhì)元素總和低于100ppm),XRD(雜峰少),SEM(掃描電鏡);
5,粒度:-100目;
7,應用:科研;
8,包裝:瓶裝:1公斤/瓶,瓶外加鋁復合薄膜真空包裝;
在傳統(tǒng)半導體領(lǐng)域,以半導體異質(zhì)結(jié)為核心制作的電子器件,如光電探測器、發(fā)光二較管、太陽能電池、激光器等,往往擁有比單一半導體材料制作的同類器件更加優(yōu)越的性能。
近年來,以二維二硫化鉬(MoS2)、二硒化鉬(MoSe2)為代表的新型二維半導體材料迅速成為材料科學領(lǐng)域的研究前沿。
這類半導體的厚度僅為數(shù)個原子,并且有望成為新一代電子器件的二維平臺。將不同的二維半導體層堆積起來便形成了二維半導體異質(zhì)結(jié),而這類異質(zhì)結(jié)中的新奇物理現(xiàn)象也成為了目前全部納米科學研究的一個焦點。
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