青島育豪微電子設(shè)備有限公司

LPCVD化學(xué)相沉積設(shè)備

用途：用于半導(dǎo)體器件工藝中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制備特點(diǎn)：一次設(shè)定自動完成，可另配氣柜。真空系統(tǒng)可選配進(jìn)口機(jī)組主要技術(shù)指標(biāo)：制備3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜；溫度：400~900℃；恒溫區(qū)600mm±0.5℃；真空系統(tǒng)機(jī)械泵+羅茨泵，配有抽氣冷井；控溫器采用進(jìn)口5吋觸

2016-09-24 電議/臺

磁性材料專項(xiàng)使用設(shè)備

主要技術(shù)指標(biāo)：◆釤鈷退火每爐15-150公斤，燒結(jié)每爐35公斤◆工作溫度及均勻度：1000℃/1250℃±1.5℃◆真空度：5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(燒結(jié))◆滿足工藝要求的均勻升溫、冷卻◆控制方式：觸摸屏、工控機(jī)◆型號：VTO-250（燒結(jié)）/VTO-4

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鏈?zhǔn)剑ㄋ淼罓t）鏈?zhǔn)綘t設(shè)備

主要用于半導(dǎo)體：二較管、整流橋、集成電路、電力電子器件等在氮?dú)�、或氫氮混合氣體的保護(hù)下進(jìn)行焊接、封裝、退火烘干等工藝。主要技術(shù)指標(biāo)：★工作溫度：200℃&mdash1200℃；溫度控制精度：±2℃；總功率：20&mdash100KV.★爐膛寬度尺寸：100mm&mdash80

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單工位真空爐

簡單描述：真空燒結(jié)爐廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、冶金及其它行業(yè)的熱處理、真空工藝處理詳細(xì)介紹：★工作溫度：400-1200oC★單點(diǎn)溫度控制精度：≤±1oC/24h★等溫區(qū)長度：200-400mm/±1mm★升溫功率：3-6KVA★升溫時(shí)間：（至1200℃）<750min

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雙工位真空爐

詳細(xì)說明雙工位真空燒結(jié)爐主要應(yīng)用于電力半導(dǎo)體器件燒結(jié)焊接等工藝設(shè)備參數(shù)：★真空室工位數(shù)：13位★真空度：1x103Pa，加擴(kuò)散泵為5x106Pa★工作溫度：1000℃★充氣的較高壓強(qiáng)：0.5Mpa（可控）★不銹鋼內(nèi)膽：&Phi150&Phi350x1300

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三工位真空爐

三工位真空燒結(jié)爐主要應(yīng)用于電力半導(dǎo)體器件燒結(jié)焊接等工藝設(shè)備參數(shù)：★口徑：&Phi350mm★工作方式：共用一套加熱體，A、B、C管交替工作★工作溫度：3001000℃★恒溫區(qū)1000mm±3℃★冷態(tài)真空度：5&Chi104Pa★真空系統(tǒng)：機(jī)械泵+K300擴(kuò)散泵★

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氫氣燒結(jié)爐

 主要技術(shù)指標(biāo)：◆釤鈷退火每爐15150公斤，燒結(jié)每爐35公斤◆工作溫度及均勻度：1000℃1250℃&#1771.5℃◆真空度：5.0&#215101Pa(退火)5.0&#215103Pa(燒結(jié))◆滿足工藝要求的均勻升溫、冷卻◆控制方式：觸摸屏、工控機(jī)◆

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井式真空爐

主要用于熔化焊錫來進(jìn)行電子器件的生產(chǎn)以及二較管模塊燒結(jié)等工藝操作。主要技術(shù)指標(biāo)：&diams方式：井式、銅板加熱，加熱面積直徑380mm見方.&diams較高溫度：600℃&diams工作溫度：500℃以內(nèi)。&diams控溫精度：±2℃&diams有效工

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LED外延片退火爐

◆全中文操作界面，可編輯參數(shù)，操作簡便◆可保存多條工藝曲線，每條曲線可設(shè)置多步◆工藝曲線的自動運(yùn)行控制功能◆自動運(yùn)行中可暫停繼續(xù)運(yùn)行功能◆工藝中可強(qiáng)制跳到下一工藝步運(yùn)行功能◆智能升降溫斜率控制功能◆PID參數(shù)自整定功能◆可存儲多組PID參數(shù)供系統(tǒng)運(yùn)

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太陽能（光伏）擴(kuò)散爐

◆工作溫度：300~1200℃◆有效口徑根據(jù)用戶擴(kuò)散片確定，可訂制◆恒溫區(qū)長度：920mm1350mm（可根據(jù)用戶要求定制）◆溫區(qū)精度(靜態(tài)閉管測試)：600℃＜工作溫度＜1200℃：±0.5℃300℃&le工作溫度&le600℃：±1℃◆單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性(靜態(tài)閉管測試)

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程控?cái)U(kuò)散爐

產(chǎn)品說明：擴(kuò)散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件行業(yè)、大功率集成電路等行業(yè)，對所加工硅片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機(jī)微控方式或者程控方式操作。主要技術(shù)指標(biāo)：★可處理硅片尺寸：2&mdash8英寸★外

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立式真空擴(kuò)散爐

本設(shè)備主要應(yīng)用于集成電路、分立器件、電力電子器件熔化焊接來進(jìn)行的生產(chǎn)、擴(kuò)散、燒結(jié)、以及熱處理退火等工藝操作。主要技術(shù)指標(biāo)：方式：立式、環(huán)壁加熱，鐘罩升降式，絲杠上下傳送料，自動升降送料，真空室內(nèi)配有工件支架可處理硅片尺寸：28英寸恒溫區(qū)長度：400800mm工作溫度：

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全自動擴(kuò)散爐

功能特點(diǎn)：擴(kuò)散爐應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件、及大規(guī)模集成電路制造等領(lǐng)域?qū)�晶片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝，可用于28英寸工藝尺寸�！锶�中文windows操作界面，可編輯參數(shù)，操作方便。★可保存多條工藝曲線，每條曲線可設(shè)置多步�！锕に嚽�線的自動運(yùn)行控制功

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LED專項(xiàng)使用擴(kuò)散爐

特點(diǎn)：★關(guān)鍵件全部采用進(jìn)口件，具有高可靠性。★具有可編程的升、降溫功能�！锞哂袛嚯妴�動緊急信號、超溫啟動緊急信號、較限超溫啟動緊急信號等多種安全保護(hù)功能�！锟纱鎯�九條工藝曲線。每條工藝曲線較多有九步。★曲線間可以任意鏈接、重復(fù)�！锞哂懈呖垢蓴_能力�！锞哂卸喾N工藝

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