單晶生長爐 CVD系統(tǒng)真空管式爐

設備用途

本設備是專為高等院校﹑科研院所的實驗室及工礦企業(yè)在可控多種氣氛及真空狀態(tài)下對金屬，非金屬及其它化合物進行真空燒結(jié)、氣氛保護燒結(jié)、真空鍍膜、氣氛還原燒結(jié)、CVD實驗、真空退火﹑熔化﹑物質(zhì)成分測量分析而研制的專項使用理想設備。

應用領域

半導體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、準確鑄造、金屬熱處理等行業(yè)領域。

技術參數(shù)

設備名稱：1200度管式爐

設備型號：TF1200-80

爐管材質(zhì)：石英管（高溫可選剛玉管）

爐管尺寸：80mm*1000mm（管徑*管長）

加熱區(qū)尺寸：440mm

恒溫區(qū)尺寸：200mm

較高溫度：1200度

工作溫度：≤1100度(連續(xù))

工作電源：單相 220V 50/60Hz 3Kw

加溫

加熱元件：優(yōu)質(zhì)電阻絲，環(huán)形加熱。

升溫速率：10-15℃/min

測溫

測溫元件：N型熱電偶

控溫

溫控儀表：數(shù)顯儀表，智能化30段PID可編程控制。

控溫精度：?1℃，超溫啟動緊急信號

保溫

保溫材料：多晶氧化鋁纖維材料，保溫效果好，熱能損耗少。

充氣正壓：≤ 0.02MPa

可通氣體：惰性氣體和還原性氣體等。

法蘭（爐管兩端配有不銹鋼密封CF法蘭，包括準確針閥、指針式真空壓力表、軟管接頭，若有特殊需求，可選配以下法蘭）

1、聚四氟乙烯法蘭，用于有腐蝕環(huán)境。

2、水冷法蘭，用于更好防止密封圈老化。

3、KF法蘭，用于更高真空需求。

真空（根本實際需要選配以下不同真空泵或真空系統(tǒng)）

1、標準旋片式機械真空泵，直插接口，較限真空可達50Pa。

2、DZK10-1低真空系統(tǒng)，KF接口，較限真空可達1*10-1Pa。

3、GZK10-3高真空系統(tǒng)，KF接口，較限真空可達1*10-3Pa。

打開方式：封閉式，爐管從兩側(cè)插入。

外形尺寸：1000*406*505(寬*深*高)mm

包裝尺寸：1300*600*700mm

設備凈重：60Kg

包裝毛量：110kg

設備包箱：木箱 珍珠棉 防塵膜

發(fā)貨物流：送貨上門，不含卸貨。

質(zhì)  保  期：一年，相關耗材除外，如加熱元件等易耗件

標準配件

坩堝鉗1把、剛玉舟1只、爐鉤1把、管堵2只、剛玉管1根、304法蘭1套、密封圈4只、浮子流量計1只、耐高溫手套1雙、產(chǎn)品說明書1份、儀表說明書1份、保修證書1份。

可選配件

1、二三四路浮子或質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)。

2、DZK10-1低真空系統(tǒng)或GZK10-3高真空系統(tǒng)。

3、300W或500W等離子射頻電源。

4、可選配移動爐架，將管式爐放置在爐架上。

注意事項

1、為了不影響設備正常使用壽命，請不要過快升降溫。

2、請不要往管內(nèi)通入超過0.02MPa的氣體壓力。

3、本設備使用一段時間后，爐膛會出現(xiàn)微小裂紋，屬于正�，F(xiàn)象，不會影響使用，可向業(yè)務人員免費索取氧化鋁涂層修補劑。

4、由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加準確安全。

5、進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱剛玉管的沖擊

6、對于只對樣品加熱的實驗（不抽真空不通氣體），不建議使用時關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥。若需要關閉氣閥對樣品加熱，您必須時刻關注壓力表的指數(shù)（氣壓會隨溫度升降而變化），若壓力表指數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）。

友情提示

可按需定制非標管式爐，如更長加熱區(qū)及各種特殊要求。