產(chǎn)品描述
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KRi 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)無(wú)缺的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 較佳的離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 800 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
|
型號(hào) |
RFICP 220 |
|
Discharge 陽(yáng)極 |
RF 射頻 |
|
離子束流 |
>800 mA |
|
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
20 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長(zhǎng)度 |
30 cm |
|
直徑 |
41 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
KRI 射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
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