金屬材料四探針電阻率測試儀

四探針電阻率測試儀導(dǎo)電材料電阻測試儀

BEST-300C

適用范圍四端測試法是目前較先進(jìn)之測試方法，主要針對高精度要求之產(chǎn)品測試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導(dǎo)率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測試儀自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成圖表和報表。

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內(nèi)及國外客戶需求

電阻測量范圍：

電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電阻：1×10-5～2×105Ω

電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  較小1μΩ

測量誤差±5%

測量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?

測量精度±（0.1%讀數(shù)）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?

誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm

顯示方式：液晶顯示

電源：220±10% 50HZ/60HZ 

標(biāo)配：測試平臺一套、主機一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

 

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法

GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半導(dǎo)體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。

 

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無損檢驗方法。

范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量較好度尚未評估。

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的較新版本。凡是不注日期的引用文件，其較新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法

GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法提要

使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測量兩內(nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計算出薄層電阻。

干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點電流源注人條件會影響測試精度。 

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差。 硅片幾何形狀，表面粘污等會影響測試結(jié)果。

光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影響測試結(jié)果，

試劑****，優(yōu)級純，純水，25 ℃時電阻率大于 2 MN·cm。 

99.5%。 干燥氮氣。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35 μm~100μm.100 μm~

250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面。

探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。

探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合 GB/T 552中的規(guī)定。

樣品臺和操針架樣品臺和探針架應(yīng)符合 GB/T152 中的規(guī)定。 樣品臺上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn) 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，

恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.

電流換向開關(guān)

標(biāo)準(zhǔn)電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標(biāo)準(zhǔn)電，精度0.05 級

雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。

電位差計和電流計或數(shù)字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小

于10*0.電子測量裝置適用性應(yīng)符合GB/T 1552 的規(guī)定。 歐嬌表，能指示阻值高達(dá) 10°日 的漏電阻. 溫度針o℃～40 ℃，較小刻度為0.1 ℃。

化學(xué)實驗室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測試條件可直接測試，否則，按下列步驟清洗試樣后測試∶試樣在585中源洗1min。如必要，在585中多次源洗，直到被干燥的試樣無污跡為止。將試樣干燥。 放入氫氟酸中清洗1 min。 用純水洗凈。 用585源洗干凈， 用氮氣吹干。

測量條件和步驟整個測試過程應(yīng)在無光照，無離頻和無振動下進(jìn)行。

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置的時間應(yīng)足夠長，達(dá)到熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.

對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為 100 μm~250 μm的半球形探針或針尖率徑為50 μm～125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 N~0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為 35 μm~100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于0.3 N.

將操針下降到試樣表面測試，使四探行針高等陣列的中心落在試樣中心1.00mm范圍內(nèi)。 

接通電流，令其任一方向為正向，調(diào)節(jié)電流大小見表1所給出的某一合適值，測量并記錄所得數(shù)據(jù)。所有測試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。 改變電流方向，測量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對仲裁測量，探針間距為1.59 mm，將樣品分別旋轉(zhuǎn)30°±5，重復(fù)8.4～~8.7的測量步驟，測5組數(shù)據(jù)，測量結(jié)果計算

對于每一測量位置，計算正、反向電流時試樣的電阻值，見式（1）、式（2）。

Rr=V;R,/V=V/I,……… R,=V,R,/V_=V,/I,-

R-——通過正向電流時試樣電阻，單位為歐姆（n）; R，——通過反向電流時試樣電阻，單位為救姆（O）; 1，——通過試樣的正肉電流，單位為毫安（mA）; I，——通過試樣的反向電流，單位為毫安（mA）;

V，——通過正向電流時試樣兩端的電位差，單位為毫伏（mV， V，—通過反向電流時試樣兩端的電

本方法對于薄層厚度不小于3μm的試樣，多實驗室測量準(zhǔn)確度為士12%（R2S）;對于薄層厚度小于 3 μm 的試樣，多實驗室測量準(zhǔn)確度為±10%（R2S）。 

試驗報告應(yīng)包括以下內(nèi)容∶試樣編號; 試樣種類; 試樣薄層厚度;測試電流; 測試溫度;試樣薄層電阻; 本標(biāo)準(zhǔn)編號; h） 測量、測量者和測量日期。

對仲裁測量，報告還應(yīng)包括對探針狀況、電測裝置的精度、所測原始數(shù)據(jù)及處理結(jié)果。