一、產(chǎn)品簡介
該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。
該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成:
1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元
2)維持電流測試單元
3)阻斷參數(shù)測試單元
4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元
5)電壓上升率參數(shù)測試單元
6)擎住電流
7)門極電阻
8)計算機控制系統(tǒng)
9)合格證標(biāo)簽打印
10)夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具
二、技術(shù)條件
主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT
1.陽極電壓:12V;
2.陽極串聯(lián)電阻:6Ω;
3.門極觸發(fā)電壓:0.3~5.00V±3%±10mV;
4.門極觸發(fā)電流:2~450mA±3%±1 mA;
2.2 維持電流測試單元IH
1. 陽極電壓:12V;
2.預(yù)導(dǎo)通電流: >10A,正弦衰減波;
3.維持電流: 2~450mA ±5%±1 mA;
4.測試頻率:單次;
2.3 通態(tài)壓降測試單元VTM
1.平板器件通態(tài)電流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
2.模塊器件通態(tài)電流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
3. 電流上升沿時間:≥5ms;
4. 通態(tài)壓降測試范圍: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%;
5. 測試頻率:單次;
2.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID;反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元
1.阻斷電壓:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;
模塊單元阻斷電壓:0.20~4.00kV
2. 正反向自動測試:
3.正/反向漏電流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;
精度:±5%±1 mA;
4. 輸出保護(hù)電壓和電流可計算機設(shè)定范圍值;在測試時電壓或漏電流超過所 設(shè)定的范圍則自動保護(hù)。
5. 測試頻率: 50HZ
2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt
1.電壓:1200V,1600V,2000V三檔,分辨率:1V,精度±5%;
2. 電壓過沖范圍:<50V±10%
3. DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;
2.6 擎住電流IL:100-1800mA
2.7 平板夾具壓力范圍:6-60KN,氣動加壓方式
三、功能概述
3-1測試功能范圍
該套測試設(shè)備主要可測試以下參數(shù):
1.門極參數(shù)測試:VGT、IGT
2.維持電流測試:IH
3.阻斷參數(shù)測試:本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。
4.壓降單元
本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數(shù)。
5、電壓上升率參數(shù)測試:dv/dt
6、擎住電流IL
7、門極電阻:適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測試
3-2、測試方法和測試準(zhǔn)則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關(guān)于晶閘管測試的具體規(guī)定。
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