IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
一. 功能簡介
IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。
IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,已被國內(nèi)廣大用戶所接受。
本試驗(yàn)臺可對器件的室溫特性及正向壓降等幾個參數(shù)進(jìn)行測試,試驗(yàn)臺在試驗(yàn)時(shí),可根據(jù)需要對試驗(yàn)時(shí)間進(jìn)行設(shè)定,試驗(yàn)臺有平均漏電流顯示,并具有保護(hù)功能。
二. 技術(shù)條件:
1.適用范圍:
本電源適用于300A以下的模塊型整流二極管及模塊型晶閘管的性能考核。本實(shí)驗(yàn)臺的測試方法參照原行業(yè)全動態(tài)測試方法。
2. 動態(tài)測試的技術(shù)指標(biāo):
1) 平均電流ITAV: 低檔:約20—50A 精度±5% 分辨率1A
gaodang: 約50—300A 精度±5% 分辨率1A
指針表顯示
電流波形為近似正選半波,導(dǎo)通角170°左右
阻斷電壓波形為底寬10mS的正弦半波
電流調(diào)節(jié):手動調(diào)壓器
2) 平均壓降:VTAV=0.1—2.5V 精度±3% 分辨率0.01 V
指針表顯示
3) 正反向不重復(fù)峰值電壓:200—3000V 精度±5% 分辨率10V
4) 正反向峰值漏電流IDRM、IRRM:0.1-20 mA
精度±3%,分辨率0.01
保護(hù)漏電流1-20 mA
峰值阻斷電壓、電流為數(shù)字表顯示
阻斷電壓為手動調(diào)節(jié)
5) 測試頻率:50HZ
6) 伏安特性具有過流保護(hù)及過流指示。
7) 電源主電路開關(guān)器件采用水冷卻,保證動態(tài)考核的準(zhǔn)確性。
8) 連接被測方式:手動連接
IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
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