一、產品簡介n雪崩能量測試臺,是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備,對于那些在應用過程中功率器件兩端產生較大電壓的尖峰應用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應用,電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會降額
2024-12-20 100000/元一、產品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機
2024-12-20 100000/元一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能:本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗,測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動調壓試驗。對試驗電參數(shù)(試驗時間、電壓、漏電流,)進行顯示。10個工位為一組控制
2024-12-20 10000/元一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,已被國
2024-12-20 50000/臺一、產品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中的測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機控制系統(tǒng)9)合格證標簽打印1
2024-12-20 100000/臺一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能:本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗,測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。***設備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動調壓試驗。對試驗電參數(shù)(試驗時間、電壓、漏電流,)進行顯示。10個工位為一組控制,
2024-12-20 100000/臺雪崩能量測試臺,是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備,對于那些在應用過程中功率器件兩端產生較大電壓的尖峰應用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應用,電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會降額,
2024-12-20 100000/臺IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)一.功能簡介IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
2024-12-20 100000/臺10uS方波浪涌測試設備一、產品簡介10uS方波浪涌測試設備,是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備,該設備具有如下特點:1、該系統(tǒng)的測試控制采用自動控制,測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果,并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。
2024-12-20 100000/臺功率半導體標準動態(tài)特性測試系統(tǒng)功率半導體標準動態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺(下面簡稱測試臺),規(guī)定了測試臺的主要技術要求,參數(shù)范圍,操作流程,試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并
2024-12-20 100000/臺功率器件雪崩能量測試設備一、產品簡介n雪崩能量測試臺,是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備,對于那些在應用過程中功率器件兩端產生較大電壓的尖峰應用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應用,電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常
2024-12-20 100000/臺功率半導體標準動態(tài)特性測試設備主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺(下面簡稱測試臺),規(guī)定了測試臺的主要技術要求,參數(shù)范圍,操作流程,試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)做
2024-12-20 100000/臺IGBT測試系統(tǒng)核心業(yè)務為半導體功率器件測試設主要有:MOSFET參數(shù)測試設備:靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGSS/BVR/VDS(Sat)/IDSS/VGSTH/VF/RDS(on));動態(tài)參數(shù)(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off/Qrr
2024-12-20 100000/臺浪涌電流測試系統(tǒng)一、產品簡介浪涌電流測試系統(tǒng),是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備,該設備具有如下特點:1、該系統(tǒng)的測試控制完全采用自動控制,測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果,并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。3、該套測試設
2024-12-20 100000/臺IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設備核心業(yè)務為半導體功率器件測試設主要有:MOSFET參數(shù)測試設備:靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGSS/BVR/VDS(Sat)/IDSS/VGSTH/VF/RDS(on));動態(tài)參數(shù)(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off/
2024-12-20 100000/套可控硅反向恢復測試設備1.總則可控硅反向恢復測試設備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書適用于ZY-Trr型功率半導體反向恢復特性測試臺(下面簡稱測試臺),規(guī)定了測試臺的技術參數(shù)要求,試驗方法、檢驗驗收及包裝運輸要求等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)
2024-12-20 100000/套功率半導體標準動態(tài)特性測試儀主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺(下面簡稱測試臺),規(guī)定了測試臺的主要技術要求,參數(shù)范圍,操作流程,試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)做出規(guī)定
2024-12-20 100000/套功率器件換相時間測試系統(tǒng)電路換相關斷時間定義為外部切換主電路后,通態(tài)電流降至零瞬間,和器件能承受而不致轉折的斷態(tài)電壓急劇上升過零或最早的低的正值瞬間之間的時間間隔。其測試原理是在反向恢復測試后施加特定電壓上升率的再加電壓,調整電壓和電流的間隔時間找到臨界值,讀出電流下降到零點到電壓上升。功
2024-12-20 100000/套二極管正向浪涌測試設備一、產品簡介二極管正向浪涌測試設備,是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備,該設備具有如下特點:1、該系統(tǒng)的測試控制完全采用自動控制,測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果,并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。3
2024-12-20 100000/套一、產品簡介10mS正弦半波浪涌測試系統(tǒng),是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備,該設備具有如下特點:1、該系統(tǒng)的測試控制完全采用自動控制,測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果,并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。3、該套測試設備主要
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:浪涌電流測試儀,是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備,浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。DBC-102型浪涌電流試驗臺的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關標準。本系統(tǒng)通過電容放電產生電流波,結合上位機測試軟件
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:針對晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試設備,電壓8500V、10000A(可擴展),自動化程度高,按照操作人員設定的程序自動工作。計算機記錄測試結果,測試結果可轉化為文本或EXCEL格式存儲,工作時序、開關的動作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計算機和PLC共同完成。測試方法靈活,可測試單個
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:本測試設備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復特性參數(shù)的測試,測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數(shù)據(jù)傳輸給計算機,計算機經過處理計算后,將測試數(shù)據(jù)以表格形式顯示并可進行編輯和
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:功率半導體換向時間測試臺,主要由可調的正向導通電流、可調的反向電壓等電路組成,及信號采集、恒溫壓機等組成。工作方式為自動,氣動。操作簡單,界面友好,且可重復性好。電路換相關斷時間定義為外部切換主電路后,通態(tài)電流降至零瞬間,和器件能承受而不致轉折的斷態(tài)電壓急劇上升過零或最早的低的
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:功率半導體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM),反向重復峰值電壓(VRRM),斷態(tài)直流電壓(VD),及對應的斷態(tài)重復峰值電流(IDRM),反向重復峰值電流(IRRM),及斷態(tài)電流(ID)等參數(shù)測試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件:序號
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗,測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。保證設備的安全性和使用耐久性。測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數(shù)據(jù)傳輸給計算機,計算機經過處理計算后,將測試數(shù)據(jù)以表格形式顯示并
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導體功率器件圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動生成,也可根據(jù)實際需求設置功能測試,直接讀取數(shù)顯結果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點建立,保證了數(shù)據(jù)的準確可靠。提供在線故障判斷,遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試。通過USB或者RS232與電
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:IGBT廣泛應用于現(xiàn)代中、大功率變換器中,其開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性,直接影響變換器的性能。因此準確測量功率開關元件的開關性能具有極其重要的實際意義。該系統(tǒng)是針對IGBT器件的開關特性及內部續(xù)流二極管的反向恢復特性而推出的全自動測試系統(tǒng)。適
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:本設備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關斷時間、恢復電荷以及反向恢復電流和反向恢復時間的測量。本設備符合國家JB/T7626-2013標準〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元:電流上升率di/dt關斷
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概念:IPM(IntelligentPowerModule),即智能功率模塊,是先進的混合集成功率器件,不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起。而且還內部集成有過電壓,過電流和過熱等故障檢測電路,并可將檢測信號送到CPU。該系統(tǒng)在解決了IPM的控制信號源以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個關
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備,該設備主要組成單元有:示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護電路、計算機程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標準適配器等。測試方法符合
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:設備的擴展性強,通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應結構的測試插座,自動補償由于系統(tǒng)內部及測試
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導體功率器件圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動生成,也可根據(jù)實際需求設置功能測試,直接讀取數(shù)顯結果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點建立,保證了數(shù)據(jù)的準確可靠。提供在線故障判斷,遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試。通過USB或者RS232與電
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:IGBT作為目前主流的電力半導體開關器件,已廣泛應用于電力電子相關行業(yè),一臺輕巧便攜的測試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測試儀,是一種全新的功率半導體器件參數(shù)測試儀器,可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測試。儀器與配套電腦連接使用,通過友好人機界面
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:ENJ1502分立器件測試儀采用上位計算機控制,集點測試和曲線掃描為一體,可實現(xiàn)點參數(shù)測試和圖示儀功能。軟件操作界面友好智能,在PC窗口提示下輸入被測器件的測試參數(shù)即可完成填表編程,操作人員不需具備專業(yè)計算機編程語言知識,使用簡捷方便。操作軟件采用填入式編程方法,專為國內用戶開發(fā)
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:晶閘管門極/阻斷特性測試儀是可用于測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二極管的VRRM、IRRM參數(shù)以及其它半導體器件的相關參數(shù)測試的專業(yè)設備。它的測試方法符合GB/JB/T7626-2013標準。該測試臺具有漏電流自動保護功能,過電壓
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:針對IGBT的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試系統(tǒng),功率3500V、1500A(可擴展),自動化程度高,按照操作人員設定的程序自動工作。計算機記錄測試結果,測試結果可轉化為文本或EXCEL格式存儲,工作時序、開關的動作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計算機和PLC共同完成。測試方法靈活,可測試單個
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備,該設備主要組成單元有:示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護電路、計算機程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標準適配器等。測試方法符合
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:針對晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試設備,電壓8500V、10000A(可擴展),自動化程度高,按照操作人員設定的程序自動工作。計算機記錄測試結果,測試結果可轉化為文本或EXCEL格式存儲,工作時序、開關的動作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計算機和PLC共同完成。測試方法靈活,可測試單個
2024-12-20 100000/臺本實用新型公開了一種自動壓力機夾具,包括水平設置在壓力機上的多對夾臂,在所述每對夾臂相對的夾持面上均設置有橡膠墊.本實用新型優(yōu)點在于將夾臂的夾持面上設置有橡膠墊,這樣當夾具夾持耐火磚時由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對耐火磚起到一定的保護作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,減少了耐
2024-12-20 100000/臺