系統(tǒng)概述:
ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導體功率器件圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動生成,也可根據(jù)實際需求設(shè)置功能測試,直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點建立,保證了數(shù)據(jù)的準確可靠。提供在線故障判斷,遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試。通過USB或者RS232與電腦連接,以及人機界面操作,即可完成測試,并實現(xiàn)結(jié)果以Excel和Date的格式保存。
曲線測試: 參數(shù)條件:
01 |
二極管 / DIODE |
02 |
晶體管 / NPN型/PNP型 |
03 |
J型場效應管 / J-FET |
04 |
MOS場效應管 / MOS-FET |
05 |
雙向可控硅 / TRIAC |
06 |
可控硅 / SCR |
07 |
絕緣柵雙極性晶體管 / IGBT |
08 |
硅觸發(fā)可控硅 / STS |
09 |
達林頓陣列 / DARLNTON |
10 |
光電耦合 / OPTO-COUPLER |
11 |
繼電器 / RELAY |
12 |
穩(wěn)壓、齊納二極管 / ZENER |
13 |
三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR |
14 |
光電開關(guān) / OPTO-SWITCH |
…… |
其它器件共19大類27分類 |
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V)vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE(SAT)vs. IC
VBE(SAT)vs. IC
VBE(ON)vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT)vs. IB at a range of ICVF vs. IF
匹配規(guī)格:
主極電壓 |
1mV-2000V |
電壓分辨率 |
1mV |
主極電流 |
0.1nA-100A |
電流分辨率 |
0.1nA |
測試精度 |
0.2% 2LSB |
測試速度 |
0.5mS/參數(shù) |
測試參數(shù):
漏電參數(shù):IR、 ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、
ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、
IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù):BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、
BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD 、VD-、
BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
導通參數(shù):VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、
VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、
VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)
Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
關(guān)斷參數(shù):VGSOFF
觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT
保持參數(shù):IH、IH 、IH-
鎖定參數(shù):IL、IL 、IL
增益參數(shù):hFE、CTR、gFS
混合參數(shù):rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulatio
間接參數(shù):IL
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