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主營(yíng):半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件

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晶閘管、IGCT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

價(jià)格

100000 元/臺(tái)

  • 單價(jià):電議
  • 最小起訂量: 1臺(tái)
  • 所在地:陜西 西安
  • 供貨總量: 10臺(tái)
  • 發(fā)布時(shí)間:2024-12-20

聯(lián)系方式

產(chǎn)品描述

系統(tǒng)概述:

本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時(shí)間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間的測(cè)量。本設(shè)備 符合國(guó)家JB/T 7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測(cè)試方法。

 

系統(tǒng)單元:

電流上升率

di/dt

關(guān)斷時(shí)間

Turn off time

恢復(fù)電荷

Recovery charge

示波器

Oscilloscope

計(jì)算機(jī)單元

Computer unit

反向恢復(fù)電流

Reverse recovery current

反向恢復(fù)時(shí)間

Reverse recovery time

接口切換單元

Interface switching unit

自動(dòng)恒溫壓力夾具

Automatic thermostatic pressure clamp

斷態(tài)電壓臨界上升率測(cè)試單元

Off-state voltage critical rise rate test unit

 

參數(shù)指標(biāo):

 

斷態(tài)電壓臨界上升率 測(cè)試單元

斷態(tài)電壓測(cè)試范圍:500-4000V、分辨率、1V精度±5%;

電壓過(guò)沖范圍:500-4000V: 10%;(800V以下時(shí)按dv/dt=500V/μS驗(yàn)收)

電壓上升率:200V/μS、500 V/μS、1000V/μS、1500 V/μS、 2000V/μS共5檔,精度±10%

按模擬負(fù)載為 2.2nF電容器校準(zhǔn);準(zhǔn)線性電壓上升率/

測(cè)試頻率:?jiǎn)未?/p>

 

 

 

關(guān)斷時(shí)間測(cè)試單元

通態(tài)電流測(cè)試范圍:200A-3000A 分辨率:1A 精度±5%;

工作頻率: 0.2-0.5Hz; 關(guān)斷時(shí)間測(cè)試范圍:5-1500µs;

通態(tài)電流脈沖底寬: ≥4ms;

反向電壓:50-200V連續(xù)可調(diào),分辨率 1V; 精度±5%;

再加電壓范圍:500V-4000V,分辨率 1V; 精度±5%;

再加電壓上升率e:分為 30V/µs、100V/µs、300V/µs三檔,精度±10%;

電流下降率:分為 10A/µs、20A/µs兩檔,精度±20%;

 

恢復(fù)電荷、反向恢復(fù)電流、 反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試單元

通態(tài)電流測(cè)試范圍:200A-3000A 分辨率:1A 精度±5%;

工作頻率:0.2-0.5Hz;

通態(tài)電流脈沖底寬: ≥4ms;

反向電壓:50-200V連續(xù)可調(diào),分辨率 1V; 精度±5%;

恢復(fù)電荷測(cè)試范圍:500-20000µs;精度±50µs±5%;

電流下降率:分為 10A/µs、20A/µs兩檔,精度±20%;

可測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電流IR;

 

 

 

自動(dòng)恒溫壓力夾具

工作方式:氣動(dòng);

壓力范圍:10-200kN; 分辨率 0.1kN; 精度±5%±1kN;

溫度控制精度范圍:70-150℃,分辨率 0.1℃,精度±1.5℃;

夾頭耐壓: 夾頭對(duì)機(jī)殼耐壓: 峰值10k0V,1 分鐘;

加熱體對(duì)夾頭耐壓:峰值10kV,1 分鐘;

夾頭行程: ≥80mm; 臺(tái)面直徑: 大于Ф130mm;

夾頭工作電流: 10kA(峰值、底寬 10mS、工作頻率≤5Hz );

夾頭表面平面度≤20µs; 導(dǎo)柱間跨距:≮260mm;

 

 

 

 

 

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