可控硅高溫阻斷耐久性試驗(yàn)臺(tái)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的專用測(cè)試設(shè)備。

 該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：

1) 門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元

2) 維持電流測(cè)試單元

3) 阻斷參數(shù)測(cè)試單元

4) 通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元

5) 電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元

6) 擎住電流

7) 門極電阻

8) 計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

9) 合格證標(biāo)簽打印

10) 夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具

二、技術(shù)條件

主要技術(shù)指標(biāo)：

  2.1  門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測(cè)試單元IGT/VGT

1. 陽極電壓：12V;

2. 陽極串聯(lián)電阻：6Ω;

3. 門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V±3%±10mV;

4. 門極觸發(fā)電流：2～450mA±3%±1 mA;

2.2  維持電流測(cè)試單元IH

1. 陽極電壓：12V;

2. 預(yù)導(dǎo)通電流： ＞10A,正弦衰減波；

3. 維持電流： 2～450mA  ±5%±1 mA;

4. 測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?/p>

2.3  通態(tài)壓降測(cè)試單元VTM

1. 平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

2. 模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

3. 電流上升沿時(shí)間：≥5ms；

4. 通態(tài)壓降測(cè)試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；

5. 測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?/p>

2.4  斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測(cè)試單元

1. 阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；

模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV

2. 正反向自動(dòng)測(cè)試：

3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；

精度：±5%±1 mA；

4. 輸出保護(hù)電壓和電流可計(jì)算機(jī)設(shè)定范圍值；在測(cè)試時(shí)電壓或漏電流超過所  設(shè)定的范圍則自動(dòng)保護(hù)。   

5. 測(cè)試頻率： 50HZ

2.5  斷態(tài)電壓臨界上升率測(cè)試單元dv/dt

1. 電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%；

2.  電壓過沖范圍：＜50V±10%

3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；

2.6  擎住電流IL：100-1800mA

2.7  平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動(dòng)加壓方式

三、功能概述

3-1測(cè)試功能范圍

該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù)：

1. 門極參數(shù)測(cè)試：VGT、IGT

2. 維持電流測(cè)試：IH

3. 阻斷參數(shù)測(cè)試：本測(cè)試單元可用以測(cè)量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。

4. 壓降單元

本測(cè)試單元用來測(cè)量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數(shù)。

5、 電壓上升率參數(shù)測(cè)試：dv/dt

6、 擎住電流IL

7、 門極電阻：適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測(cè)試

3-2、測(cè)試方法和測(cè)試準(zhǔn)則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關(guān)于晶閘管測(cè)試的具體規(guī)定。北京半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)