系統(tǒng)概述:功率半導體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM),反向重復峰值電壓(VRRM),斷態(tài)直流電壓(VD),及對應的斷態(tài)重復峰值電流(IDRM),反向重復峰值電流(IRRM),及斷態(tài)電流(ID)等參數(shù)測試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件:序號
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:設(shè)備的擴展性強,通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應結(jié)構(gòu)的測試插座,自動補償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導體功率器件圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動生成,也可根據(jù)實際需求設(shè)置功能測試,直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點建立,保證了數(shù)據(jù)的準確可靠。提供在線故障判斷,遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試。通過USB或者RS232與電
2024-12-20 100000/臺系統(tǒng)概述:本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時間、恢復電荷以及反向恢復電流和反向恢復時間的測量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標準〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元:電流上升率di/dt關(guān)斷
2024-12-20 100000/臺一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,
2024-12-20 100000/臺一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,
2024-12-20 100000/臺產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻
2024-12-20 100000/臺一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標1.主要適用功能:本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗,測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標準。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動調(diào)壓試驗。對試驗電參數(shù)(試驗時間、電壓、漏電流,)進行顯示。10個工位為一組控制
2024-12-20 100000/臺一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標1.主要適用功能:本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗,測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標準。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動調(diào)壓試驗。對試驗電參數(shù)(試驗時間、電壓、漏電流,)進行顯示。10個工位為一組控制
2024-12-20 100000/臺一、產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機
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